2014年我國半導體分立器件發展現狀分析

　　中國的半導體分立器件產業已經在國際市場占有舉足輕重的地位並保持著持續、快速、穩定的發展。隨著電子整機、消費類電子產品等市場的持續升溫，半導體分立器件仍有很大的發展空間，因此，有關SIC基、GSN基以及封裝等新技術新工藝的發展，新型分立器件在汽車電子、節能照明等熱點領域的應用前景等成了廣受關注的問題。當前全球分立器件市場總體保持穩步向上，而亞洲地區特別是中國市場表現猶為顯眼。

       以下是中國報告大廳整理的我國半導體分立器件發展現狀分析：

　　1、我國半導體分立器件分布現狀

　　我國半導體分立器件產業地區分布相對集中。按國內半導體分立器件行業銷售總額比重分布，其中長三角地區占41.3%，京津環渤海灣地區占10%，珠三角地區占43.2%，其他地區占5.5%。我國生產分立器件的企業主要分布在江蘇、浙江、廣東、天津等省市，占到全國的76.4%以上。

　　2、半導體分離器件市場規模

　　前瞻產業研究院發布的《2014-2020年中國集成電路行業市場需求預測與投資戰略規劃分析報告》顯示：2009-2013年，中國半導體分立器件產業銷售額逐年上漲，2013年均為最大值，但是增速呈現波動趨勢。2010年，2013年，中國半導體分立器件產業銷售額為1135.40億元，同比增長28.50%，增速為近年來的最大值。2013年，中國半導體分立器件產業銷售額為1642.50億元，同比增長18.17%，,增長速度有所加快。

　　3、分立器件的發展趨勢

　　事實證明，半導體分立器件仍有很大的發展空間。半導體分立器件通常總是沿著功率、頻率兩個方向發展，發展新的器件理論、新的結構，出現各種新型分立器件，促進電子信息技術的迅猛發展。

　　一是發展電子信息產品急需的高端分立器件，如Si、GaAs微波功率器件、功率MOS器件、光電子器件、變容管及肖特基二極體等。隨著理論研究和工藝水平的不斷提高，電力電子器件在容量和類型等方面得到了很大發展，先後出現了從高壓大電流的GTO到高頻多功能的IGBT、功率MOSFET等自關斷、全控型器件。近年來，電力電子器件正朝著大功率、高壓、高頻化、集成化、智能化、複合化、模塊化及功率集成的方向發展，如IGPT、MCT、HVIC等就是這種發展的產物。

　　二是發展以SiGe、SiC、InP、GaN等化合物半導體材料為基礎的新型器件。

　　三是跟蹤世界半導體分立器件發展趨勢，加強對納米器件、超導器件等領域的研究。

　　四是分立器件封裝技術的發展趨勢仍以片式器件為發展方向，以適應各種電子設備小型化、輕量化、薄型化的需要。封裝形式的發展，一是往小型化方向發展，由常用的SOT-23、SOD-123型向尺寸更小的，如SOT-723/923、SOD-723/923、DFN/FBP1006等封裝型式發展；二是片式小型化往功率器件方向延伸，從1W功率的SOT-89一直到功耗10W的TO-252以及功率更大的大功率封裝，如TO-247、TO-3P等；三是另一類則望更大尺寸、更大體積以滿足各類更大功率的新型電力電子封裝，如全壓接式大功率IGBT及各類模塊封裝等。

　　相關半導體分立器行業發展現狀詳細信息查閱中國報告大廳發布的2012-2017年中國半導體分立器件行業發展現狀及投資前景分析報告。