半導體存儲器行業市場現狀：高度壟斷逐步加劇

　　半導體存儲器是一種以半導體電路作為存儲媒體的存儲器,內存儲器就是由稱為存儲器晶片的半導體集成電路組成。

　　2016-2021年中國半導體存儲器行業發展分析及投資潛力研究報告表明，半導體集成電路持續叐到國家政策的扶持，近期仍國家層面到地方層面的政策及資本的持續也是持續丌斷。存儲器是集成電路產業的基礎產品之一，產品的成熟度和產業的覎模敁應均較為顯著，而目前中國大陸地匙的企業在相關領域內的仹額仌然較低，通過國家政府層面的大覎模投資有機會快速切入相關領域，也是晶片國產化之路邁出的可靠而重要的一步。

　　全球半導體產品的銷售額和存儲器銷售額

　　半導體存儲器是一個高度壟斷的市場，其三大主流產品DRAM，NANDFlash，NORFlash更是如此，尤其是前兩者，全球市場基本被前三大公司占據，且近年來壟斷程度逐步加劇。以DRAM和NAND兩種主要存儲晶片為例，2016年第一季度，DRAM市場93%份額由韓國三星、海力士和美國美光科技三家占據，而NANDFlash市場幾乎全部被三星、海力士、東芝、閃迪、美光和英特爾等六家瓜分。

　　(1)DRAM：全球市場規模約410億美元。目前DRAM行業基本被三星，海力士，美光三家壟斷了95%以上的市場。2014年，三星、海力士在先進位程上表現出眾，三星(Samsung)已大規模採用20nm工藝，毛利達42%，SK海力士則以25nm工藝為主，毛利率達40%，兩者獲利能力皆進一步提升，而美光的工藝則仍以30nm製程為主，毛利率約為24%，遠低於前兩家，故DRAM市場的壟斷格局有加劇之勢，尤其是三星，由於率先進入20nm量產時代，成功銷售不少高附加價值產品，2015年DRAM市場雖略有萎縮，但三星的營業收入反而逆勢生長，突破200億美元大關，並連續24年蟬聯DRAM半導體全球市占率第一。

　　在移動DRAM市場上，三星與海力士的市占率超過80%，呈現壓倒性優勢。

　　(2)NANDFlash：全球市場規模約300億美元。NAND的壟斷形勢比DRAM更加嚴重，三星依然是行業龍頭，連續多年市占率維持在35%左右，東芝則和閃迪聯手，共同奪得了NAND領域第二的位子，市占率一般保持在30%左右;美光則擁有英特爾的幫助，排行第三;海力士在2011年市占率超過了美光，之後則將重心放在了DRAM方面，2012-14年連續三年排第四。上述四家公司壟斷了整個NAND市場，且壟斷程度呈上升趨勢，2011年到2014年期間，四大寡頭的NAND市占率由91.3%上升到了99.2%。

　　(3)NORFlash：全球市場規模約30億美元。相對DRAM和NAND來說，NOR市場要小的多，分散程度也更大，目前市場主要由美光、飛索半導體(被Cypress收購)、旺宏、三星、華邦、兆易創新、宜揚科技七家主導，前五家屬於IDM模式，後兩家屬於Fabless模式，其中兆易創新是我國唯一一家在主流存儲器設計行業掌握一定話語權的企業，其在NORFlash領域進步飛速，2012年還僅占市占率的3.4%，到2013年已躍居11%，位列全球第四。