第三代半導體國產化政策加碼 相關概念股強勢大漲

　　美國總統宣布成立「下一代功率電子技術國家製造業創新中心」，期望通過加強第三代半導體技術的研發和產業化，使美國占領下一代功率電子產業這個正出現的規模最大、發展最快的新興市場，並為美國創造出一大批高收入就業崗位。

　　日本也建立了「下一代功率半導體封裝技術開發聯盟」，由大阪大學牽頭，協同羅姆、三菱電機、松下電器等18家從事SiC和GaN材料、器件以及應用技術開發及產業化的知名企業、大學和研究中心，共同開發適應SiC和GaN等下一代功率半導體特點的先進封裝技術。

　　歐洲則啟動了產學研項目「LASTPOWER」，由意法半導體公司牽頭，協同來自義大利、德國等六個歐洲國家的私營企業、大學和公共研究中心，聯合攻關SiC和GaN的關鍵技術。項目通過研發高性價比且高可靠性的SiC和GaN功率電子技術，使歐洲躋身於世界高能效功率晶片研究與商用的最前沿。

　　半導體是中國技術雄心的每個組成部分的基礎。因此，對於國產半導體來說，這場高科技戰役只能勝利。中國政府也將大力支持行業的發展，在2021至2025年期間，「舉全國之力」，在教育、科研、開發、融資、應用等各方面全力發展第三代半導體，以實現產業自主。

　　《2019-2021年中國半導體拉晶爐設備市場專題研究及投資可行性評估報告》數據指出，第三代半導體是以氮化鎵和碳化矽、氧化鋅、氧化鋁、金剛石等為代表的材料。相較前兩代產品性能優勢顯著，憑藉其高效率、高密度、高可靠性等優勢，在新能源汽車、明升88网址 以及家用電器等領域發揮重要作用，成為業內關注的新焦點。

　　中國半導體行業協會副理事長魏少軍在南京舉行的2020年世界半導體大會上表示，中國2020年晶片進口預計將連續第三年保持在3000億美元以上。

　　目前，我國發展第三代半導體面臨的機遇非常好，因為過去十年，在半導體照明的驅動下，氮化鎵無論是材料和器件成熟度都已經大大提高，但第三代半導體在電力電子器件、射頻器件方面還有很長的路要走，市場和產業剛剛啟動，還面臨巨大挑戰，必須共同努力。