半導體存儲器行業定義及分類

　　存儲器的發展幾乎是伴隨著電子計算機的發展歷程而來的。在發展之初，採用汞線延遲線來進行信息的存儲和讀寫，之後採用磁性材料，再到光學材料等存儲器設備，儘管獲得了較大的改善，但是仍然面臨體積龐大、性能有限的挑戰，對應用領域的拓展造成了不小的阻礙。半導體存儲器行業定義及分類介紹如下。

　   半導體存儲器行業定義

　　2016-2021年中國半導體存儲器行業發展分析及投資潛力研究報告表明，傳統的半導體集成電路存儲器無論是DRAM還是Flash，其基本原理均是通過對於電荷的多寡形成的電勢高低來進行「0」和「1」的判斷，進而實現信息的存儲。

　　半導體存儲器是一種以半導體電路作為存儲媒體的存儲器,內存儲器就是由稱為存儲器晶片的半導體集成電路組成。

      半導體存儲器行業分類

　  按功能分類

　　按其功能可分為：隨機存取存儲器(簡稱RAM)和只讀存儲器(只讀ROM)

　　RAM包括DRAM(動態隨機存取存儲器)和SRAM(靜態隨機存取存儲器)，當關機或斷電時，其中的 信息都會隨之丟失。 DRAM主要用於主存(內存的主體部分)，SRAM主要用於高速緩存存儲器。

　　ROM 主要用於BIOS存儲器。

　　按其製造工藝

　　可分為：雙極電晶體存儲器和MOS電晶體存儲器。

　　按其存儲原理

　　可分為：靜態和動態兩種。