2016年我國半導體存儲器行業發展趨勢分析

　　儘管仍2016年第事季度起存儲器行業的產品價格出現了回升。但是行業整體仌然處二周期性底部的位置，市場主要廠商三星、海力士、美先等在資本開支產能擴張方面仌然較為謹慎，而我們訃為在智能秱勱終端需求、數據中心伺服器需求以及固態影片需求帶勱的情冴，DRAM和NAND Flash市場均有逐步仍供過二求向供給丌足轉秱的趨勢，而在這種行業周期性底部有轉發趨勢的情冴下，中國大陸地匙的逆周期投資有望推勱國內廠商成為市場內崛起的新生力量。現對2016年我國半導體存儲器行業發展趨勢分析。

　　存儲器的發展幾乎是伴隨著電子計算機的發展歷程而來的。在發展之初，採用汞線延遲線來進行信息的存儲和讀寫，之後採用磁性材料，再到光學材料等存儲器設備，儘管獲得了較大的改善，但是仍然面臨體積龐大、性能有限的挑戰，對應用領域的拓展造成了不小的阻礙。

　　得益於集成電路技術的發展與成熟，採用半導體集成電路方式製造的存儲器IC晶片獲得了廣泛的採用。隨著在存儲介質的演進，設計架構的更新和工藝水平的提高，IC存儲器在存儲密度、讀寫速度等性能持續提高，同時能耗、單位存儲單元成本持續降低，IC存儲器的發展也充分享受摩爾定理集成電路演進歷程。

　　半導體存儲器市場規模近800億美元,呈寡頭壟斷局面。2015年全球半導體存儲器的銷售額為772億美元,在半導體市場的占比為23%,其中DRAM、NAND、NOR存儲器的銷售額分別為約410億、300億、30億美元。三星,海力士和美光三家壟斷了95%的DRAM市場,三星、東芝/閃迪、美光、海力士四家壟斷了99%的NAND市場,前6大廠家壟斷90%的NOR市場。

　　2016-2021年中國半導體存儲器行業發展分析及投資潛力研究報告表明，紫光聯手武漢新芯,加快存儲器產業發展。發展存儲器的戰略和經濟意義重大,中國大陸發展存儲器的決心十分堅定。7月26日紫光集團聯合武漢新芯成立長江存儲,打造存儲器國家隊。紫光集團的資本優勢和武漢新芯的技術優勢相結合,集中優勢資源發展存儲器,將加快我國存儲器產業的發展。

　　新型存儲器成為我國存儲器產業彎道超車的最佳選擇。存儲器行業門檻高,我國在傳統的存儲器方面落後太多,很難在短期內趕超國外同行。而在新型存儲器方面,國內與海外差距相對較小,例如我國擁有自主智慧財產權的PCRAM技術已經取得突破,用於印表機的PCRAM存儲器晶片年出貨量超過千萬顆。因此,發展具備自主智慧財產權的新型存儲器有望實現彎道超車。

　　從全球來看，3D NOR市場還在起步階段，目前只有三星產出樣品，新芯將在此項技術加大投入，決心成為中國存儲半導體領先企業。3D NOR的發展相比晶片萎縮會節約大量的成本，國內市場需求占據全球近半數，在保證45nm技術的同時，進行3d技術提升，並將揉合mobile rom設計，伴隨著終端設備功能的不斷完善，對晶片的需要也逐年增加，技術要求也增強。新芯的目標打造ISM(集成次系統組件)製造商，進行自有存儲品牌生產。