存儲器關乎國家安全，但我國目前存儲器領域幾乎100%進口，基於自主可控的需求是現階段下國家政策力推的根本原因。由於存儲晶片具有技術差距大、行業集中度高、周期性強、資金投入大四大特性，要想完成進口替代的任務，僅依靠幾家企業的力量是非常困難的，可喜的是，自2015年底以來，國內已經有多個地區和公司正在積極從事存儲器方面的投資。

　　中科院突破存儲器技術難關

　　在存儲器晶片領域，我國其實屬於起步較晚的。存儲器晶片是集成電路產業三大品類之一，目前在消費電子、固態存儲器、內存、智能終端等領域廣泛應用，存儲器晶片在晶片產業的比重就超過了25%，其國產化程度反映了國家在半導體領域的發展水平。

　　僅2014年我國存儲晶片的市場規模就已經超過2000億元，在國內集成電路市場份額中占比更是達到了23%。但是這龐大市場需求，卻需要通過進口來滿足，我國每年進口的存儲晶片金額高達600億美元。尤其在DRAM與NAND Flash領域，更是我國存儲器晶片領域的短板。

　　總體來看，我國存儲晶片領域雖然取得了一些進展，但是總體看來仍舊是剛剛起步，NAND Flash與DRAM等細分領域的專利、核心技術仍舊為東芝、三星、Intel、SanDisk等海外廠商所掌握。

　　2016-2021年中國半導體存儲器行業發展分析及投資潛力研究報告表明，存儲器產業屬於一個需要長期投入的產業，因此國家設立集成電路產業投資基金就是想在統籌布局與合理規劃的基礎上，建立完善的產業生態，注重人才培養與核心技術開發，也只有這樣，我國才能把握住當下各類新興信息技術與存儲器產業深度融合所產生的市場機遇。

　　目前，已經有不少公司在存儲器領域發力，長江存儲更是通過與中科院聯手來開拓這一龐大市場。目前其研發的32層3D NAND Flash晶片順利通過了包括電學特性等各項指標測試，已經基本達到了預期要求，成功驗證了電子電路設計與工藝器件的整套技術。

　　在技術上取得突破之後，下一步我國存儲器領域將會迎來產業化發展的最好時機。

　　對於投資者而言，想要把握這一紅利，更是需要結合自身條件，從細分領域入手，將會更具保障。例如存儲器技術的提升，也會帶動封測產業以及材料設備的快速增長。

　　顯然，我國國產存儲器晶片將會在下一階段迎來巨大的發展機遇。眼下隨著技術、政策、人員、資金等各種條件的基本成熟，行業爆發的契機就在眼前。

　　中國成存儲器投資熱土

　　儘管存儲器屬於高度壟斷的行業，但是我國在發展存儲器產業道路上已經邁出了第一步。2月12日，紫光集團在南京正式建立半導體產業基地，主要產品為3DNANDFLASH、DRAM存儲晶片等，一期投資100億美元，規劃月產晶片10萬片，項目總投資300億美元。除此之外，紫光集團還與國家集成電路產業投資基金股份有限公司於2016年7月共同出資成立長江存儲科技有限責任公司;項目於2016年12月30日正式開工建設。項目總投資金額約240億美元，預期將於2018年完成建廠投產、2020年完成整個項目，總產能將達到30萬片一個月。

　　除紫光/長江存儲之外，2016年福建晉華與聯電簽訂技術合作協定，由聯電協助其生產利基型DRAM。新建的12英寸廠房已經動工，初步產能規劃每月6萬片，估計2017年底完成技術開發，2018年9月試產。合肥長鑫公司於2016年宣布將在合肥打造月產能12.5萬片的12英寸晶圓廠，生產存儲器。此外，股市新貴兆易創新也計劃收購北京矽成，其中發行股份支付對價為45.5億元，現金支付對價為19.5億元。兆易創新是國內NORFlash行業的龍頭廠商。

　　以上舉措顯示，我國存儲器產業的發展正在持續推進。如果僅從規劃中的產能來看，已經超過國際半導體廠商在中國大陸建設的產能。整理各家公司公開發布的數據發現，紫光/長江存儲+晉華+長鑫規劃月產能達到58.5萬片，而幾家國際存儲器大廠在中國大陸的產能為32萬片/月。

　　不過，這一情況已經引起國際存儲器大廠的警惕。海力士近日表示將投資36億美元在無錫建設第二座存儲工廠。也有消息稱三星電子將在2017年～2018年大舉追加投資西安3DNANDFlash廠，預估將投資約43.5億美元。三星、海力士同時擴大在華存儲器的投資，爭搶未來市場的目的十分明顯。