我国3D闪存研究获突破 东芝计划88亿美元卖闪存业务

　　与场效应管一样，闪存也是一种电压控制型器件。闪存的存储单元为三端器件，与场效应管有相同的名称：源极、漏极和栅极。栅极与硅衬底之间有二氧化硅绝缘层，用来保护浮置栅极中的电荷不会泄漏。采用这种结构，使得存储单元具有了电荷保持能力，就像是装进瓶子里的水，当你倒入水后，水位就一直保持在那里，直到你再次倒入或倒出，所以闪存具有记忆能力。

　　我国3D闪存项目研究获突破

　　近日，由国家存储器基地主要承担单位长江存储科技有限责任公司与中国科学院微电子研究所联合承担的3D NAND存储器研发项目取得新进展。据长江存储CEO杨士宁在IC咖啡首届国际智慧科技产业峰会上介绍，32层3D NAND芯片顺利通过电学特性等各项指标测试，达到预期要求。该款存储器芯片由长江存储与微电子所三维存储器研发中心联合开发，在微电子所三维存储器研发中心主任、长江存储NAND技术研发部项目资深技术总监霍宗亮的带领下，成功实现了工艺器件和电路设计的整套技术验证，向产业化道路迈出具有标志性意义的关键一步。

　　3D NAND是革新性的半导体存储技术，通过增加存储叠层而非缩小器件二维尺寸实现存储密度增长，从而拓宽了存储技术的发展空间，但其结构的高度复杂性给工艺制造带来全新的挑战。经过不懈努力，工艺团队攻克了高深宽比刻蚀、高选择比刻蚀、叠层薄膜沉积、存储层形成、金属栅形成以及双曝光金属线等关键技术难点，为实现多层堆叠结构的3D NAND阵列打下坚实基础。

　　2016-2021年中国闪存行业市场需求与投资咨询报告表明，存储器的可靠性是影响产品品质的重要一环，主要评估特性包括耐久性、数据保持特性、耦合和扰动，国际上在3D NAND领域的公开研究结果十分有限。器件团队通过大量的实验和数据分析，寻找影响各种可靠性特性的关键因素，并和工艺团队紧密协作，完成了器件各项可靠性指标的优化，最终成功实现了全部可靠性参数达标。

　　3D NAND存储器芯片研发系列工作得到了国家集成电路产业基金、紫光控股、湖北省国芯投资、湖北省科投的大力支持。

　　东芝计划88亿美元卖闪存业务

　　东芝希望能够从出售闪存芯片业务多数股权的交易中筹集到至少1万亿日元(约合88亿美元)的资金，以便公司在应对新出现的财务问题时能够更从容一点。

　　知情人士透露，东芝希望尽快重启出售事务，而且它可能会将这部分业务卖给多个买家而非一家竞购方，现已有多家投资基金、其他芯片厂商和客户公司均有意竞购这部分业务。这项交易可能会在明年3月底之前完成。“东芝尚未决定到底出售多少比例的闪存业务股权，这主要取决于它能筹集到多少资金。东芝希望能够保留1/3的股权，以便公司能够对这部分业务保留一定的控制权。”上述人士表示。

　　据了解，东芝原本只打算出售NAND闪存业务19.9%的股权，东芝接到的报价在2000亿-4000亿日元之间，竞购方包括东芝竞争对手海力士和美光科技、数据存储公司西部数码和贝恩资本等金融投资者。但因该公司在本月早些时候将其美国核电业务价值减计63亿美元，财务压力倍增，现在它准备将闪存业务的多数甚至全部股权卖掉。